| 博士論文 | ||
|---|---|---|
| 2006年度 | 江上 喜幸 | 実空間差分法に基づく第一原理電気伝導特性計算手法の開発と応用 |
| 佐々木 孝 | ||
| 2005年度 | 稲垣 耕司 | 高精度比較反射率スペクトル測定に基づくシリコン表面評価法の開発 |
| 2001年度 | 塚本 茂 | ナノ構造の電気伝導特性に対する第一原理計算手法の開発 |
| 2000年度 | 小野 倫也 | 実空間差分法に基づく第一原理分子動力学計算手法 |
| 藤本 義隆 | 実空間差分法を用いた半無限固体の表面電子状態計算手法 | |
| 1999年度 | 岡田 浩巳 | フッ素および塩素によるSi(001)表面原子のエッチング機構に関する研究 |
| 修士論文 | ||
| 2006年度 | 青木 良憲 | 経路積分法によるインパルス応答解析と電子状態シミュレーションへの応用 |
| 大塚 順 | 第一原理電子状態計算によるAlNナノチューブの基礎物性の研究 ～電子分極および電界放出のメカニズムの解明～ | |
| 岡田 尚人 | 光反射率スペクトル法に基づく表面評価法の開発 ～各種処理されたシリコン表面の評価とインプロセス計測実現に向けた取り組み～ | |
| 掛谷 悟史 | 第一原理計算に基づくSi(001)表面でのEnergy flow の解明 ～大気圧プラズマCVD法でのSilicon Epitaxial Growth～ | |
| 2005年度 | 木村 隆志 | OHラジカルによる有機分子分解過程の第一原理シミュレーション |
| 菅 大輔 | 時間依存シュレディンガー方程式を用いた電気伝導特性計算手法の開発 | |
| 中川 大輔 | Si/SiO2界面の第一原理電子状態計算 ～界面欠陥のリーク電流への影響～ | |
| 宮田 卓哉 | 光反射率スペクトルによるシリコン表面評価 ～各種洗浄処理により形成される表面構造とスペクトルの関係～ | |
| 矢賀 寛久 | 第一原理分子動力学法を用いたアモルファスSiO2の誘電率計算 | |
| 2004年度 | 桂 大詞 | 光反射率スペクトルによる表面評価法の開発 ～シリコン表面電子状態の評価～ |
| 中越 亮佑 | EEM(Elastic Emission Machining)加工機構の解明 ～第一原理分子動力学計算による半導体(Si,Ge,GaAs,C)表面上での反応プロセスの解析と評価～ | |
| 2003年度 | 池田 裕志 | プラズマCVMにおけるCF4分解過程の第一原理シミュレーションによる解析 |
| 江上 喜幸 | 第一原理に基づくナノ構造体の電気伝導特性計算 | |
| 大谷 めぐみ | 第一原理分子動力学シミュレ－ションによるフラーレン鎖の電気伝導特性の解明 | |
| 佐々木 孝 | 第一原理に基づくオーダーN電子状態計算プログラムの開発 | |
| 椙本 欧介 | 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Machining)プロセスの解明 ～SiO2微粒子によるSi(001)表面加工におけるH2O分子の果たす役割～ | |
| 田中 利忠 | グラファイト層間化合物表面と水の反応性に関する第一原理シミュレーションによる研究 | |
| 山﨑 秀樹 | 水素結合系におけるプロトン移動の理論的解析 | |
| 若狭 加奈子 | 第一原理分子動力学シミュレーションによる水分子解離過程の理論的解析 ～イオン交換材料の触媒作用～ | |
| 2002年度 | 杉江 利章 | 光反射率スペクトルによる表面評価法の開発 ～微小光測定法と新しい測定装置の開発～ |
| 谷出 敦 | 第一原理に基づくオーダーN電子状態計算手法の開発 | |
| 2001年度 | 稲田 敬 | 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 ～Al(001)表面の反応素過程の第一原理分子動力学シミュレーション～ |
| 大橋 和朗 | 実空間差分法に基づく水分子解離過程の第一原理分子動力学シミュレ－ション ～イオン交換基の触媒作用の解明～ | |
| 神尾 豪 | 第一原理分子動力学シミュレ－ションによるEEM(Elastic Emission Machining)プロセスの解明 ～Si(001)表面とSiO2微粒子の結合過程および表面原子の除去過程～ | |
| 2000年度 | 奥西 亮介 | ハロゲンによるSi表面のエッチング機構の第一原理分子動力学シミュレーションを用いた解明 |
| 角田 信彦 | 実空間差分法を用いた半無限モデルによる表面および界面電子状態計算手法の開発 | |
| 戸田 勝之 | 有限温度での第一原理分子動力学シミュレーションプログラムの開発 | |
| 1999年度 | 田原 克俊 | 高周波パルスSTM(Scanning Tunneling Microscopy)の開発 |
| 中東 幸子 | 第一原理分子動力学によるSi(001)表面の洗浄機構のシミュレーション | |
| 六車 義宏 | 超純水による電気化学加工の第一原理分子動力学シミュレーション | |
| 山本 幸治 | EEM(Elastic Emission Machining)における微粒子と加工物との反応過程の解明 | |
| 1998年度 | 梅本 幸司 | オーダーN法による有限温度での第一原理分子動力学シミュレーションプログラムの開発 |
| 川住 誠吾 | 超純水による電気化学加工の第一原理分子動力学シミュレーション ～水酸基と相互作用する金属表面原子～ | |
| 杉本 光宏 | EEM(Elastic Emission Machining)加工機構の第一原理分子動力学シミュレーション | |
| 塚本 茂 | 半無限体の電子状態計算手法の開発 | |
| 中野 雅美 | ハロゲンとSi表面原子との反応の第一原理分子動力学シミュレーション | |
| 1997年度 | 小野 倫也 | 第一原理電子状態計算法の新手法の開発 ～実空間手法とオーダーN法～ |
| 塩田 崇二 | STM-XMAの開発 ～高電圧極短パルス発生回路の設計～ | |
| 中村 隆喜 | 実空間差分法による高精度電子状態計算 | |
| 藤本 義隆 | 光反射率スペクトルによるSiウェハ表面評価法の開発 ～光反射率スペクトルの第一原理分子動力学計算による解析～ | |
| 松村 正雄 | オーダーN法によるシミュレーションプログラムの開発 ～密度行列による第一原理計算手法の確立～ | |
| 森田 忠士 | オーダーN法による有限温度での第一原理分子動力学シミュレーションプログラムの開発 | |
| 吉桑 伸幸 | 光反射率スペクトルによるSiウエハ表面評価法の開発 ～比較反射率測定装置の高精度化～ | |
| 1995年度 | 別所 勇爾 | 比較反射率スペクトルによるSiウエーハ表面の評価 |
| 卒業研究 | ||
| 2006年度 | 池田 大起 | Impulse-Response法によるMultilead Deviceの電子輸送シミュレーション |
| 北島 秀樹 | 第一原理に基づくピーナッツ型フラーレンチューブの電子状態計算 | |
| 古城 仁士 | 強相関電子系の第一原理計算 | |
| 鈴木 卓 | Impulse-Response法によるナノワイヤーの電気伝導シミュレーション | |
| 2005年度 | 饗庭 秀一郎 | 第一原理に基づくLippmann-Schwinger方程式を用いた電気伝導特性計算 |
| 岩見 一央 | Carbon Nanotubeの第一原理電子状態計算 | |
| 朽木 克博 | 第一原理計算に基づくSi/SiO2界面の電子状態 ～欠陥がリーク電流に及ぼす影響の解明～ | |
| 芝高 康人 | 機能水による無電解加工法の開発 | |
| 野田 恒之 | 光反射率スペクトルによる表面評価 ～各種洗浄処理による表面構造とスペクトルの関係～ | |
| 2004年度 | 大塚 順 | Wannier関数を用いた物質の電子状態計算 |
| 岡田 尚人 | 光反射率スペクトルによる表面評価法の開発 ～測定精度の向上とシリコン洗浄表面の評価～ | |
| 坂本 玄理 | CF4分子と不活性ガス原子の相互作用の第一原理分子動力学シミュレーション | |
| 豊嶋 健太 | 時間依存Schrödinger方程式の数値解法 | |
| 村田 順二 | ||
| 2003年度 | 掛谷 悟史 | 第一原理シミュレーションを用いたα-アルミナ表面エッチングプロセスの探索 |
| 木村 隆志 | 水による有機分子分解反応の第一原理シミュレーション | |
| 菅 大輔 | 第一原理に基づくナノ構造体の電気伝導特性計算プログラムの開発 | |
| 中川 大輔 | 第一原理計算による酸化シリコン薄膜のリーク電流の予測 | |
| 宮田 卓哉 | 光反射率スペクトルによる表面評価法の開発 ～クリーン環境下における高精度比較反射率スペクトル測定～ | |
| 矢賀 寛久 | 第一原理分子動力学法を用いた水分子の動的構造計算 | |
| 2002年度 | 江上 喜幸 | 第一原理に基づくナノワイヤーの電気伝導特性計算 |
| 桂 大詞 | 光反射率スペクトルによる表面評価法の開発 ～新しい測定装置の開発～ | |
| 佐々木 孝 | オーダーN法による第一原理電子状態計算プログラムの開発 | |
| 佐々木 義仁 | 第一原理計算による水分解触媒の開発 | |
| 2001年度 | 池田 裕志 | プラズマCVMにおけるエッチング機構の第一原理分子動力学シミュレーション |
| 大谷 めぐみ | 第一原理分子動力学シミュレーションによるリチウム内包フラーレンの物性の解明 | |
| 鬼頭 裕也 | 光反射率スペクトルを用いたシリコン表面評価法の開発 ～微小光反射率スペクトルによるSi表面準位検出法の開発～ | |
| 椙本 欧介 | EEM(Elastic Emission Machining)加工機構の第一原理分子動力学シミュレーションによる解明 ～GaAs表面とSiO2微粒子との相互作用～ | |
| 吉岡 誠 | 超純水とダイヤモンド表面との反応素過程の第一原理分子動力学シミュレーション | |
| 若狭 加奈子 | 陰イオン交換基による水分子解離過程およびAl表面加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション | |
| 2000年度 | 笠原 大輔 | 探針の影響を入れたSTM像のシミュレーション |
| 新海 竜士 | ハロゲンによるSi表面のエッチング機構の第一原理分子動力学シミュレーションを用いた解明 | |
| 杉江 利章 | 光反射率スペクトルによるSiウエハ表面評価法の開発 ～装置開発と加工表面評価～ | |
| 田中 利忠 | 超純粋のみによる電気化学的加工法 ～Al(001)表面の陰極反応素過程の第一原理分子動力学シミュレーション～ | |
| 谷出 敦 | 半無限モデルを用いたシリコン表面電子状態計算 | |
| 中越 亮佑 | EEM加工機構の第一原理分子動力学シミュレーションによる解明 ～第4族元素材料表面とSiO2微粒子との相互作用～ | |
| 橋本 浩介 | 実空間差分法によるシリコン表面原子の電界蒸発シミュレーション | |
| 1999年度 | 稲田 敬 | ハロゲンによるSi表面エッチング過程の第一原理分子動力学シミュレーション ～ハロゲン原子によるSi(001)表面原子の挙動～ |
| 大田 勉 | 超純水による電気化学加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション ～金属表面上における水分子とOHとの相互作用～ | |
| 大橋 和朗 | 実空間差分法に基づく水分子解離過程の第一原理分子動力学シミュレーション ～水分子解離反応におけるイオン交換基の触媒作用の解明～ | |
| 神尾 豪 | EEM(Elastic Emission Machining)加工機構の第一原理分子動力学シミュレーションによる解明 ～TiO2微粒子による加工特性の予測～ | |
| 木村 篤信 | 半無限固体表面の電子状態計算プログラムの開発 ～C言語による任意桁数計算ルーチンの開発～ | |
| 1998年度 | 井上 大輔 | 超純水による電気化学加工の第一原理分子動力学シミュレーション ～水酸基と相互作用する金属表面原子～ |
| 奥西 亮介 | ハロゲンとSi表面原子との反応の第一原理分子動力学シミュレーション | |
| 角田 信彦 | 実空間差分法による第一原理シミュレーションプログラムの開発 | |
| 戸田 勝之 | 第一原理に基づくモンテカルロシミュレーション | |
| 仲村 達也 | 光反射率スペクトルによるSiウエハ表面評価装置の開発 | |
| 1997年度 | 立蔵 洋介 | 量子力学の第一原理によるスルホン酸基と相互作用する水分子の分子動力学シミュレーション |
| 田原 克俊 | 光反射率スペクトルによるSiウエハ表面評価法の開発 ～比較反射率測定装置の高精度化～ | |
| 中東 幸子 | 実空間差分法による高精度電子状態計算 | |
| 六車 義宏 | STM-XMAの開発 ～高電圧極短パルス発生回路の設計～ | |
| 山本 幸治 | 量子力学の第一原理によるEEM(Elastic Emission Machining)の加工シミュレーション | |
| 1996年度 | 梅本 幸司 | オーダーN法に基づく分子動力学 ～等核二原子分子への適用～ |
| 太田 昌彦 | 高速Fourier変換の改良プログラムの開発 | |
| 小野 倫也 | 実空間差分法に基づく第一原理電子状態計算法の開発 | |
| 川住 誠吾 | 水酸基による金属表面原子の除去加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション | |
| 杉本 光宏 | EEM加工機構の第一原理分子動力学シミュレーション | |
| 塚本 茂 | STM-AES/STM-XMA法の開発 ～高電圧パルス印加時における試料表面の挙動～ | |
| 中野 雅美 | AlN,ZrN薄膜成長過程の第一原理分子動力学シミュレーション | |
| 1995年度 | 稲垣 宇郎 | STM－オージェ電子分光法の開発 ～低エネルギー入射電子による低放出角オージェ電子の検出～ |
| 塩田 崇二 | STM－オージェ電子分光法の開発 ～単パルス電圧印加によるオージェ電子の発生法～ | |
| 中村 隆喜 | ノルム保存型ソフト擬ポテンシャルの開発と評価 | |
| 藤本 義隆 | 比較反射率スペクトルによるSiウエーハ表面の評価 ～第一原理に基づくSi表面の電子状態の計算～ | |
| 松村 正雄 | 分子軌道法による分子動力学シミュレーションプログラムの開発と評価 | |
| 森田 忠士 | DV-Xα法に基づく分子軌道法プログラムの開発と窒素クラスターの電子状態の計算 | |
| 吉桑 伸幸 | 比較反射率スペクトルによるSiウエーハ表面の評価 ～反射率スペクトルの表面依存性～ | |